1 項目（mù）背景
在（zài）中美貿易戰摩擦加劇的背景下，對於半導體材料自主（zhǔ）控（kòng）製權的（de）爭奪已經愈（yù）演愈烈。尤其是（shì）近幾 年我國新建產能成（chéng）為全球晶圓廠的主要增量，但（dàn）是製約半導體產業做強的上遊關（guān）鍵原材料和生產設備 仍（réng）然幾（jǐ）乎被美國和日本的公司所壟斷，如（rú）今西方多家對中國科技尤其是芯片產業的進一（yī）步封鎖，對於 我國半導體行業發（fā）展的（de）打擊幾乎是一劍封喉，因此半導體材（cái）料（liào）國（guó）產化戰略地位凸顯，在材料領域（yù）進口 替代（dài）進程加速是大勢所趨。
2 產品（pǐn）說明
CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化學機械拋光是一個化學腐蝕和機械摩擦的結（jié）合。是目前最 為普遍的半導體材料表麵平整（zhěng）技術，兼收了（le）機械摩擦和化學腐蝕的優點，從而避免了由單純機械拋光 造成的（de）表麵損傷和由單純化（huà）學拋光易造成的拋光速度慢（màn）、表麵平（píng）整度和拋光一致性（xìng）差等缺點。可以獲 得比較完美的晶片表麵。
國際上普遍認為，器（qì）件特征尺寸在0.35μm以下時，必須進（jìn）行全局平麵化以保證光刻影（yǐng）像傳遞（dì）的精 確（què）度和（hé）分（fèn）辨率，而CMP是目（mù）前幾乎唯一的可以提供全局平（píng）麵化（huà）的技術。其設備作用原理圖如下：
研磨液：研磨時添加的液體狀物質，顆粒大小跟研磨後的刮傷等（děng）缺陷有關，顆（kē）粒越大對晶片的損 傷越大，顆粒越小越好。基本形式是由納米粉體（tǐ）拋光劑和一個堿性組分水溶液組成，顆粒的大小1-
100nm，濃度1.5%-50%，堿性組成一般（bān）是KOH，氨或有機胺，pH為9.5-11。
由於氣相（xiàng）二氧化矽的高純度、可控製的原始納米粒（lì）徑和粒徑分布等，使得氣相sio2成為氧化物拋 光研磨液中的主要（yào）磨（mó）料。
3 項目（mù）原料：
金屬矽粉、鹽（yán）酸、氫氣。 年產1000噸納米氣相鈦白粉項目 年產20000噸特種紙專用輕質碳酸鈣項（xiàng） 目年產1000噸BIPB（無味DCP）項目 持續研發
4、項目配套：
化工產業園（yuán）區、蒸汽、電力、工業水。
5、技術優勢
專利：一種氣相法（fǎ）生產二氧（yǎng）化矽及金屬氧化物的設備
專利：一種生產高純三氯氫矽和四氯化矽的裝置及工藝
6、項目總投資1.5億元。
7、項目占地：30畝（mǔ）
8、經濟效益
