CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化學機械拋（pāo）光是一個化學（xué）腐蝕和機械摩擦（cā）的結合。是目前較為普遍的半（bàn）導體（tǐ）材（cái）料表麵平整技術，兼收了（le）機械摩擦和化學腐蝕的優點，從而避免了由單純機械拋光造（zào）成的表麵損傷和由單純化學拋光易造成的拋光速度慢、表麵平整度和拋光（guāng）一致（zhì）性差等缺（quē）點。可以獲得比較完美（měi）的晶片表麵。
國際上（shàng）普遍認（rèn）為，器件特征（zhēng）尺寸在0.35μm以下時，必須（xū）進（jìn）行全局平（píng）麵化以保證光刻影像傳遞的精確度（dù）和分辨率，而CMP是目前可（kě）以提供全局平麵化的（de）技術。其設備作用（yòng）原理（lǐ）圖如下：
研磨液：研（yán）磨時（shí）添加的液體狀物（wù）質，顆粒大小跟研（yán）磨（mó）後的刮傷（shāng）等缺陷有關，顆粒越大對晶片的損傷越大，顆粒（lì）越小越好。基本形式是由納米粉體拋光劑和一個堿性組（zǔ）分水溶液組成，顆（kē）粒（lì）的大小1-100nm，濃度（dù）1.5%-50%，堿性組成一般是KOH，氨或有機胺，pH為9.5-11。
由於氣相二氧化矽的高純度、可控製的原始納米（mǐ）粒徑和粒（lì）徑分布等，使得氣相sio2成為氧（yǎng）化物拋光研磨液中的（de）主（zhǔ）要磨料。
本項目經（jīng）過專有工藝生產（chǎn）的CMP氣矽對打破國外品牌對研磨液用氣矽（guī）的（de）壟斷地位，對中國芯片全產業鏈（liàn）的發展貢（gòng）獻，具有十分重要意義。
